Datasheet SPB08P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263 — Даташит

Купить SPB08P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 44 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, MOSFET P-CH 60V 8.8A
ЧипСити Россия	SPB08P06PG Infineon	35 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SPB08P06PG Infineon	44 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SPB08P06PG	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SPB08P06PG International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB08P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature · Pb-free lead finishing; RoHS compliant

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -8.8 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.221 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 42 Вт
• RoHS: да