Datasheet SPB18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263 — Даташит
Наименование модели: SPB18P06P G
Купить SPB18P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 84 до 5 466 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков P-channel Mosfets Power-transistor | |||
SPB18P06PG Infineon | 84 ₽ | ||
SPB18P06PG Infineon | 88 ₽ | ||
SPB18P06PG Infineon | 161 ₽ | ||
SPB18P06PG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263
Краткое содержание документа:
SPB18P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.13 -18.6 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -18.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 0.101 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 81.1 Вт
- RoHS: да