Datasheet SPB18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263 — Даташит

Купить SPB18P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 74 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, P-channel Mosfets Power-transistor
ChipWorker Весь мир	SPB18P06PG Infineon	54 ₽	Купить
Элитан Россия	SPB18P06PG Infineon	68 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SPB18P06PG Infineon	71 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SPB18P06PG Infineon	74 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB18P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.13 -18.6 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -18.7 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.101 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 81.1 Вт
• RoHS: да