Datasheet SPB18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263 — Даташит

Infineon SPB18P06P G

Наименование модели: SPB18P06P G

Купить SPB18P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 83 до 5 375 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков P-channel Mosfets Power-transistor
ЧипСити Россия	SPB18P06PG Infineon	83 ₽
AiPCBA Весь мир	SPB18P06PG Infineon	87 ₽
ChipWorker Весь мир	SPB18P06PG Infineon	88 ₽
ЗУМ-СМД Россия	SPB18P06PG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB18P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.13 -18.6 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -18.7 А
Drain Source Voltage Vds: -60 В
On Resistance Rds(on): 0.101 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-263
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 81.1 Вт
RoHS: да