Datasheet SPB80P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 80 А, TO-263 — Даташит

Купить SPB80P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 142 до 961 ₽ 18 предложений от 13 поставщиков SIPMOS?' Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
ЧипСити Россия	SPB80P06PG Infineon	223 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SPB80P06PG Infineon	от 961 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SPB80P06PG Infineon	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SPB80P06PG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 80 А, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB80P06P G SIPMOS ® Power-Transistor
Features
·
Product Summary Drain source voltage Drain-source on-state resistance Continuous drain current
P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated 175°C operating temperature

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -80 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.021 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 340 Вт
• RoHS: да