Datasheet SPD03N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 3.2 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: SPD03N60C3
![]() 39 предложений от 21 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252 | |||
SPD03N60C3ATMA1 Infineon | 84 ₽ | ||
SPD03N60C3ATMA1 Infineon | 96 ₽ | ||
SPD03N60C3 Infineon | по запросу | ||
SPD03N60C3T Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 3.2 А, DPAK
Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
G
Tjmax
G
G G
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 1.26 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 38 Вт
- RoHS: да