На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet SPD04N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 4.5 А, DPAK — Даташит

Infineon SPD04N60C3

Наименование модели: SPD04N60C3

37 предложений от 18 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 4.5 А, 0.85 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
SPD04N60C3 (ST-STD3NM60T4)
STMicroelectronics
24 ₽
AiPCBA
Весь мир
SPD04N60C3NT
Infineon
30 ₽
AliExpress
Весь мир
D3NK80Z = TMD3N80G 3N80 / EMB60N06 B60N06 / 04N60C3 SPD04N60C3 / B44P04 EMB44P04 / TD1507TR TO-252
41 ₽
ЧипСити
Россия
SPD04N60C3BTMA1
Infineon
78 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 4.5 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
G
Tjmax
G
G G

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.85 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 50 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPD04N60C3 - Infineon MOSFET, N-CH, 650 V, 4.5 A, DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России