Datasheet SPD04N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 4.5 А, DPAK
Наименование модели: SPD04N60C3
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 4.5 А, DPAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
G
Tjmax
G
G G
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.85 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- RoHS: да
На английском языке: Datasheet SPD04N60C3 - Infineon MOSFET, N-CH, 650 V, 4.5 A, DPAK
SPD04N60C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 0,16 до 64,30 руб.
TO252/Cool MOS Power Transistor
| Поставщик | Производитель | Наименование | Цена |
|---|---|---|---|
| AliExpress | 1 ШТ. 04N60C3 SPD04N60C3 К-252 IC | 0,16 руб. | |
| ЗУМ-ЭК | STMicroelectronics | SPD04N60C3 (ST-STD3NM60T4) | 28,35 руб. |
| T-electron | Infineon | SPD04N60C3 | 38,83 руб. |
| Кремний | SPD04N60C3 | по запросу | |
| ЭлектроПласт | Infineon | SPD04N60C3 | по запросу |
| Все 9 предложений от 9 поставщиков » | |||
Рекомендуемые материалы по теме:
- Datasheet SPD04N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252
- Datasheet SPD04N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252
- Datasheet SPD04P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3
- Datasheet IKD04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252
- Datasheet IKU04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.
Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.
|
Срезы ↓
|
|