Datasheet SPD04P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3 — Даташит

Купить SPD04P10PL G на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 2 681 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков SIPMOS?® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
ChipWorker Весь мир	SPD04P10PLG Infineon	31 ₽	Купить
727GS Весь мир	SPD04P10PLG International Rectifier	от 31 ₽	Купить
МосЧип Россия	SPD04P10PLG Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SPD04P10PLG MOS Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD04P10PL G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 850 -4.2 V m A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -4.2 А
• Drain Source Voltage Vds: -100 В
• On Resistance Rds(on): 0.55 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 38 Вт
• RoHS: да