Datasheet SPD04P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3 — Даташит

Infineon SPD04P10PL G

Наименование модели: SPD04P10PL G

Купить SPD04P10PL G на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 3 096 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков SIPMOS?® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
AiPCBA Весь мир	SPD04P10PLG Infineon	44 ₽
ChipWorker Весь мир	SPD04P10PLG Infineon	45 ₽
Элитан Россия	SPD04P10PLG	249 ₽
ЗУМ-СМД Россия	SPD04P10PLG MOS() Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD04P10PL G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 850 -4.2 V m A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -4.2 А
Drain Source Voltage Vds: -100 В
On Resistance Rds(on): 0.55 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-252
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 38 Вт
RoHS: да