Datasheet SPD08P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.83 А, DPAK — Даташит

Купить SPD08P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 3 952 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.3Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, TO-252, 3Pin
ChipWorker Весь мир	SPD08P06PG Infineon	31 ₽	Купить
727GS Весь мир	SPD08P06PG Infineon	от 33 ₽	Купить
Триема Россия	SPD08P06PG	142 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SPD08P06PG	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.83 А, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD08P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature · Pb-free lead finishing; RoHS compliant

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -8.83 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.23 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -6.2 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 42 Вт
• RoHS: да