Datasheet SPD15P10P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 — Даташит

Купить SPD15P10P G на РадиоЛоцман.Цены — от 1.05 до 5 474 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3Pin
ChipWorker Весь мир	SPD15P10PG Infineon	19 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SPD15P10PG Infineon	47 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SPD15P10PG Rochester Electronics	54 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SPD15P10PG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD15P10P G
SIPMOS Small-Signal-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 0.24 -15 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Normal level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -15 А
• Drain Source Voltage Vds: -100 В
• On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 128 Вт
• RoHS: да