Datasheet SPD15P10P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 — Даташит

Infineon SPD15P10P G

Наименование модели: SPD15P10P G

Купить SPD15P10P G на РадиоЛоцман.Цены — от 55 до 6 370 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3Pin
AiPCBA Весь мир	SPD15P10PG Infineon	55 ₽
ChipWorker Весь мир	SPD15P10PG Infineon	56 ₽
ЗУМ-СМД Россия	SPD15P10PG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	SPD15P10PG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD15P10P G
SIPMOS Small-Signal-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 0.24 -15 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Normal level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -15 А
Drain Source Voltage Vds: -100 В
On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-252
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 128 Вт
RoHS: да