Datasheet SPD15P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 — Даташит
Наименование модели: SPD15P10PL G
![]() 13 предложений от 11 поставщиков SIPMOS?® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode | |||
SPD15P10PLG Infineon | от 75 ₽ | ||
SPD15P10PLG | по запросу | ||
SPD15P10PLG Infineon | по запросу | ||
SPD15P10PLG MOS Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3
Краткое содержание документа:
SPD15P10PL G
SIPMOS® Power-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 0.20 -15 A V
PG-TO252-3
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -15 А
- Drain Source Voltage Vds: -100 В
- On Resistance Rds(on): 0.14 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 128 Вт
- RoHS: да