HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SPD15P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 — Даташит

Infineon SPD15P10PL G

Наименование модели: SPD15P10PL G

7 предложений от 7 поставщиков
SIPMOS?® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
ЧипСити
Россия
SPD15P10PLG
Infineon
93 ₽
AiPCBA
Весь мир
SPD15P10PLG
Infineon
128 ₽
ChipWorker
Весь мир
SPD15P10PLG
Infineon
130 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SPD15P10PLG
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD15P10PL G
SIPMOS® Power-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 0.20 -15 A V
PG-TO252-3

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -15 А
  • Drain Source Voltage Vds: -100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.14 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 128 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPD15P10PL G - Infineon MOSFET, P-CH, 100 V, 15 A, TO252-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России