Datasheet SPD18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252 — Даташит

Купить SPD18P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 100 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков SIPMOS?' Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
Lixinc Electronics Весь мир	SPD18P06PG Rochester Electronics	34 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SPD18P06PG Infineon	80 ₽	Купить
Элитан Россия	SPD18P06PG Infineon	100 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	SPD18P06PG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD18P06P G SIPMOS ® Power-Transistor
Features
·
Product Summary Drain source voltage Drain-source on-state resistance Continuous drain current
P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated 175°C operating temperature

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -18.6 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 80 Вт
• RoHS: да