Datasheet SPD18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SPD18P06P G
Купить SPD18P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 38 до 4 065 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков SIPMOS?' Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated | |||
| SPD18P06PG Infineon | 38 ₽ | ||
| SPD18P06PG Infineon | 40 ₽ | ||
| SPD18P06PG Infineon | 41 ₽ | ||
| SPD18P06PG International Rectifier | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SPD18P06P G SIPMOS ® Power-Transistor
Features
·
Product Summary Drain source voltage Drain-source on-state resistance Continuous drain current
P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated 175°C operating temperature
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -18.6 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 0.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 80 Вт
- RoHS: да
