Datasheet SGP02N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3 — Даташит
Наименование модели: SGP02N120
Купить SGP02N120 на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 675 ₽ 26 предложений от 19 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A | |||
SGP02N120 Infineon | 24 ₽ | ||
SGP02N120XKSA1 Infineon | 72 ₽ | ||
SGP02N120XKSA1106 Infineon | 88 ₽ | ||
SGP02N120 | 247 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.1 В
- DC Collector Current: 6.2 А
- Pulsed Current Icm: 9.6 А
- Rise Time: 21 нс
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 62 Вт
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да