Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SGW15N60 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3 — Даташит

Infineon SGW15N60

Наименование модели: SGW15N60

9 предложений от 9 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 15A
AliExpress
Весь мир
SGW20N60 TO-247 G20N60 SGW15N60 SGW30N60 SGW15N120 SGW25N120 SGW50N60HS 20N60 G15N60 G30N60 G15N120 G25N120 G50N60 G50N60HS
93 ₽
ЧипСити
Россия
SGW15N60
Infineon
261 ₽
ChipWorker
Весь мир
SGW15N60
Infineon
279 ₽
Utmel
Весь мир
SGW15N60FKSA1
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SGP15N60 SGW15N60
Fast IGBT in NPT-technology
· 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses · Short circuit withstand time ­ 10 µs · Designed for: - Motor controls - Inverter · NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability
C
G

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
  • DC Collector Current: 31 А
  • Pulsed Current Icm: 62 А
  • Rise Time: 28 нс
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 139 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SGW15N60 - Infineon IGBT, NPT, 600 V, 31 A, 139 W, TO247-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России