Datasheet SGW25N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3 — Даташит

Купить SGW25N120 на РадиоЛоцман.Цены — от 108 до 2 438 ₽ 25 предложений от 19 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A
AliExpress Весь мир	SGW25N120 TO-247 25N120 TO247 быстрая IGBT по технологии NPT	108 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SGW25N120 Infineon	189 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SGW25N120FKSA1 Infineon	374 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SGW25N120	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SGW25N120
Fast IGBT in NPT-technology
· 40% lower Eoff compared to previous generation · Short circuit withstand time ­ 10 µs · Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS · NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability · Qualified according to JEDEC1 for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ Type SGW25N120 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage DC collector current TC = 25°C TC = 100°C Pulsed collector current, tp limited by Tjmax Turn off safe operating area VCE 1200V, Tj 150°C Gate-emitter voltage Avalanche energy, single pulse IC = 25A, VCC = 50V, RGE = 25, start at Tj = 25°C Short circuit withstand time2 VGE = 15V, 100V VCC 1200V, Tj 150°C Power dissipation TC = 25°C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s Tj ,

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 3.1 В
• DC Collector Current: 46 А
• Pulsed Current Icm: 84 А
• Rise Time: 52 нс
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 313 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да