LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet SGW25N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3 — Даташит

Infineon SGW25N120

Наименование модели: SGW25N120

29 предложений от 20 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A
AliExpress
Весь мир
Новинка, оригинальный SGW25N120 G25N120 25N120 или SGW15N120 G15N120 или SGW02N120 IGBT G02N120 TO-247 25A 1200 в, быстрый
70 ₽
SGW25N120
Infineon
189 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SGW25N120FKSA1
Infineon
407 ₽
ICdarom.ru
Россия
SGW25N120
Infineon
от 1 892 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SGW25N120
Fast IGBT in NPT-technology
· 40% lower Eoff compared to previous generation · Short circuit withstand time ­ 10 µs · Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS · NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability · Qualified according to JEDEC1 for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ Type SGW25N120 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage DC collector current TC = 25°C TC = 100°C Pulsed collector current, tp limited by Tjmax Turn off safe operating area VCE 1200V, Tj 150°C Gate-emitter voltage Avalanche energy, single pulse IC = 25A, VCC = 50V, RGE = 25, start at Tj = 25°C Short circuit withstand time2 VGE = 15V, 100V VCC 1200V, Tj 150°C Power dissipation TC = 25°C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s Tj ,

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.1 В
  • DC Collector Current: 46 А
  • Pulsed Current Icm: 84 А
  • Rise Time: 52 нс
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 313 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SGW25N120 - Infineon IGBT, NPT, 1200 V, 46 A, 313 W, TO247-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России