Datasheet SKW07N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247 — Даташит

Купить SKW07N120 на РадиоЛоцман.Цены — от 93 до 788 ₽ 20 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	SKW07N120FKSA1 Rochester Electronics	179 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	SKW07N120 Infineon	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	SKW07N120 Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SKW07N120 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SKW07N120
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
· Lower Eoff compared to previous generation · Short circuit withstand time ­ 10 µs · Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS · NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability · Qualified according to JEDEC1 for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ Type SKW07N120 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage DC collector current TC = 25°C TC = 100°C Pulsed collector current, tp limited by Tjmax Turn off safe operating area VCE 1200V, Tj 150°C Diode forward current TC = 25°C TC = 100°C Diode pulsed current, tp limited by Tjmax Gate-emitter voltage Short circuit withstand time Power dissipation TC = 25°C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wavesoldering, 1.6mm (0.063

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 3.1 В
• DC Collector Current: 16.5 А
• Pulsed Current Icm: 27 А
• Rise Time: 31 нс
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да