Datasheet RFD3055LESM9A - Fairchild Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 12 А TO-252AA — Даташит

Купить RFD3055LESM9A на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 214 ₽ 42 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Элитан Россия	RFD3055LESM9A ON Semiconductor	49 ₽	Купить
Maybo Весь мир	RFD3055LESM9A ON Semiconductor	62 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	RFD3055LESM9A ON Semiconductor	от 82 ₽	Купить
SUV System Весь мир	RFD3055LESM9A	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 12 А TO-252AA

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE
Data Sheet January 2002
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are manufactured using the latest manufacturing process technology.

This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA49158.
Features

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 11 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• Количество выводов: 3
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 38 Вт
• RoHS: да