Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BUK7613-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 72 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK7613-100E

Наименование модели: BUK7613-100E

39 предложений от 17 поставщиков
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK. N-Channel 100V 72A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Зенер
Россия и страны ТС
BUK7613-100E,118
Nexperia
от 181 ₽
BUK7613-100E,118
Nexperia
от 194 ₽
Augswan
Весь мир
BUK7613-100E
Nexperia
по запросу
BUK7613-100E,118
NXP
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 72 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7613-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 72 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0102 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 182 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK7613100E, BUK7613 100E

На английском языке: Datasheet BUK7613-100E - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 72 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка