Datasheet BUK7613-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 72 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK7613-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 387 ₽ 30 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 72 А, 0.0102 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ЧипСити Россия	BUK7613-100E NXP	45 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BUK7613-100E NXP	45 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK7613-100E NXP	104 ₽	Купить
Maybo Весь мир	BUK7613-100E,118 Nexperia	186 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 72 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7613-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 72 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.0102 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 182 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK7613100E, BUK7613 100E