Datasheet BUK7613-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 72 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK7613-100E
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 72 А, 0.0102 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
BUK7613-100E,118 NXP | от 40 ₽ | ||
BUK7613-100E NXP | 103 ₽ | ||
BUK7613-100E,118 Nexperia | от 194 ₽ | ||
BUK7613-100E,118 Nexperia | от 201 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 72 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK7613-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 72 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0102 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 182 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK7613100E, BUK7613 100E