Datasheet BUK762R0-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK762R0-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 199 ₽ 24 предложений от 19 поставщиков MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
ChipWorker Весь мир	BUK762R0-40E NXP	53 ₽	Купить
IC Home Весь мир	BUK762R0-40C,118 NXP	69 ₽	Купить
Maybo Весь мир	BUK762R0-40E118 NXP	по запросу	Купить
Контест Россия	BUK762R0-40C Philips	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK762R0-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 1650µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 293 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK762R040E, BUK762R0 40E