Datasheet BUK762R6-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK762R6-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 81 до 405 ₽ 34 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 120 А, 0.00197 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ЭИК Россия	BUK762R6-60E,118 Nexperia	от 302 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BUK762R6-60E,118 Nexperia	от 337 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BUK762R6-60E,118 Nexperia	от 354 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BUK762R6-60E NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK762R6-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 1970µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 324 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK762R660E, BUK762R6 60E