Datasheet BUK762R6-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK762R6-60E
Купить BUK762R6-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 125 до 1 144 ₽ 32 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 120 А, 0.00197 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
BUK762R6-60E.118 Nexperia | 125 ₽ | ||
BUK762R6-60E,118 NXP | 143 ₽ | ||
BUK762R6-60E,118 Nexperia | от 457 ₽ | ||
BUK762R6-60E,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK762R6-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1970µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 324 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK762R660E, BUK762R6 60E