Datasheet BUK762R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK762R9-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 425 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0024 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ЧипСити Россия	BUK762R9-40E,118 NXP	80 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	BUK762R9-40E,118 NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BUK762R9-40E118 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BUK762R9-40E,118 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK762R9-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 2400µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 234 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK762R940E, BUK762R9 40E