Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BUK762R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK762R9-40E

Наименование модели: BUK762R9-40E

16 предложений от 15 поставщиков
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK. N-Channel 40V 100A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ChipWorker
Весь мир
BUK762R9-40E118
NXP
59 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BUK762R9-40E,118
Nexperia
по запросу
Maybo
Весь мир
BUK762R9-40E,118
Nexperia
по запросу
727GS
Весь мир
BUK762R9-40E,118
Nexperia
по запросу
Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK762R9-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 2400µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 234 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK762R940E, BUK762R9 40E

На английском языке: Datasheet BUK762R9-40E - NXP MOSFET, N-CH, 40 V, 100 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка