Datasheet BUK762R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит

Наименование модели: BUK762R9-40E
16 предложений от 15 поставщиков MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK. N-Channel 40V 100A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| BUK762R9-40E118 NXP | 59 ₽ | ||
| BUK762R9-40E,118 Nexperia | по запросу | ||
| BUK762R9-40E,118 Nexperia | по запросу | ||
| BUK762R9-40E,118 Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK762R9-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 2400µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 234 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK762R940E, BUK762R9 40E






