Datasheet BUK7631-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 34 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK7631-100E
![]() 17 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 34 А, 0.0243 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
BUK7631-100E,118 NXP | 157 ₽ | ||
BUK7631-100E,118 Nexperia | от 201 ₽ | ||
BUK7631-100E NXP | по запросу | ||
BUK7631-100E NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 34 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK7631-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 34 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0243 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 96 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK7631100E, BUK7631 100E