Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BUK7631-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 34 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK7631-100E

Наименование модели: BUK7631-100E

22 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 34 А, 0.0243 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7631-100E.118
Nexperia
47 ₽
Akcel
Весь мир
BUK7631-100E,118
Nexperia
от 56 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK7631-100E,118
NXP
89 ₽
ЧипСити
Россия
BUK7631-100E
NXP
93 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 34 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7631-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 34 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0243 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 96 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK7631100E, BUK7631 100E

На английском языке: Datasheet BUK7631-100E - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 34 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России