Datasheet BUK763R9-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK763R9-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 325 ₽ 20 предложений от 15 поставщиков N-channel TrenchMOS standard level FET
ЧипСити Россия	BUK763R9-60E,118 NXP	178 ₽	Купить
ЭИК Россия	BUK763R9-60E,118 Nexperia	от 296 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BUK763R9-60E,118 Nexperia	от 325 ₽	Купить
МосЧип Россия	BUK763R9-60E,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK763R9-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 2940µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 263 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK763R960E, BUK763R9 60E