Datasheet BUK766R0-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK766R0-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 186 ₽ 27 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 473А; 182Вт
AiPCBA Весь мир	BUK766R0-60E,118 NXP	92 ₽	Купить
Эиком Россия	BUK766R0-60E,118 Nexperia	от 175 ₽	Купить
Элитан Россия	BUK766R0-60E NXP	186 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	BUK766R0-60E,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK766R0-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 75 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 4580µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 182 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK766R060E, BUK766R0 60E