Datasheet BUK768R3-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK768R3-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 155 ₽ 30 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 61,5А; Idm: 349А; 137Вт
AllElco Electronics Весь мир	BUK768R3-60E,118 NXP	от 115 ₽	Купить
727GS Весь мир	BUK768R3-60E,118 Nexperia	от 131 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK768R3-60E,118 NXP	134 ₽	Купить
Эиком Россия	BUK768R3-60E,118 Nexperia	от 154 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK768R3-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 75 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 5900µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 137 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK768R360E, BUK768R3 60E