Datasheet BUK769R6-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 75 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK769R6-80E на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 229 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
AiPCBA Весь мир	BUK769R6-80E,118 NXP	65 ₽	Купить
IC Home Весь мир	BUK769R6-80E,118 NXP	66 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BUK769R6-80E,118 NXP	211 ₽	Купить
Элитан Россия	BUK769R6-80E NXP	215 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 75 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK769R6-80E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 75 А
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 7200µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 182 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK769R680E, BUK769R6 80E