Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet BUK952R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, TO-220AB — Даташит

NXP BUK952R8-60E

Наименование модели: BUK952R8-60E

9 предложений от 8 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-220AB Rail
ЧипСити
Россия
BUK952R8-60E,127
NXP
98 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK952R8-60E,127
NXP
153 ₽
727GS
Весь мир
BUK952R8-60E,127
NXP
от 775 ₽
Augswan
Весь мир
BUK952R8-60E
Nexperia
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, TO-220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK952R8-60E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 2200µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 349 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK952R860E, BUK952R8 60E

На английском языке: Datasheet BUK952R8-60E - NXP MOSFET, N-CH, 60 V, 120 A, TO-220AB

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка