Datasheet BUK952R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, TO-220AB — Даташит

Купить BUK952R8-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 95 до 748 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, TO-220AB N-CH 60V 120A
Lixinc Electronics Весь мир	BUK952R8-60E,127 NXP	95 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK952R8-60E,127 NXP	139 ₽	Купить
727GS Весь мир	BUK952R8-60E,127 NXP	от 748 ₽	Купить
Maybo Весь мир	BUK952R8-60E,127 Rochester Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, TO-220AB

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK952R8-60E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 2200µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 349 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK952R860E, BUK952R8 60E