Datasheet BUK952R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: BUK952R8-60E
Купить BUK952R8-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 141 до 280 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor | |||
| BUK952R8-60E.127 NXP | 141 ₽ | ||
| BUK952R8-60E,127 NXP | 166 ₽ | ||
| BUK952R8-60E Nexperia | по запросу | ||
| BUK952R8-60E NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, TO-220AB
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK952R8-60E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2200µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 349 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK952R860E, BUK952R8 60E
