Datasheet BUK954R4-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: BUK954R4-80E
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 80V, 3600Ω, 5V, 1.7V | |||
BUK954R4-80E,127 NXP | 102 ₽ | ||
BUK954R4-80E-VB | 142 ₽ | ||
BUK954R4-80E,127 NXP | 161 ₽ | ||
BUK954R4-80E,127 Rochester Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, TO-220AB
Краткое содержание документа:
BUK954R4-80E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 3600µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 349 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK954R480E, BUK954R4 80E