Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet BUK954R4-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, TO-220AB — Даташит

NXP BUK954R4-80E

Наименование модели: BUK954R4-80E

12 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 80V, 3600Ω, 5V, 1.7V
IC Home
Весь мир
BUK954R4-80E,127
NXP
102 ₽
Триема
Россия
BUK954R4-80E-VB
142 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK954R4-80E,127
NXP
161 ₽
Maybo
Весь мир
BUK954R4-80E,127
Rochester Electronics
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, TO-220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK954R4-80E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 3600µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 349 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK954R480E, BUK954R4 80E

На английском языке: Datasheet BUK954R4-80E - NXP MOSFET, N-CH, 80 V, 120 A, TO-220AB

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка