Datasheet BUK956R1-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB — Даташит

Купить BUK956R1-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 95 до 636 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ChipWorker Весь мир	BUK956R1-100E127 NXP	95 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK956R1-100E,127 NXP	99 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BUK956R1-100E,127 Rochester Electronics	99 ₽	Купить
Maybo Весь мир	BUK956R1-100E,127 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK956R1-100E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 4850µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 349 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK956R1100E, BUK956R1 100E