Datasheet BUK956R1-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: BUK956R1-100E
Купить BUK956R1-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 163 до 16 139 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor | |||
| BUK956R1-100E,127 NXP | 163 ₽ | ||
| BUK956R1-100E,127 NXP | 173 ₽ | ||
| BUK956R1-100E,127 NXP | 174 ₽ | ||
| BUK956R1100E.127 | 16 139 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK956R1-100E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 4850µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 349 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK956R1100E, BUK956R1 100E
