Datasheet BUK9615-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 66 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK9615-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 203 ₽ 19 предложений от 17 поставщиков MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK / N-Channel 100 V 66A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount D2PAK
AiPCBA Весь мир	BUK9615-100E,118 NXP	61 ₽	Купить
Триема Россия	BUK9615-100E-VB	142 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BUK9615-100A /T3 NXP	по запросу	Купить
Контест Россия	BUK9615-100A NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 66 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9615-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 66 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.0125 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 182 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK9615100E, BUK9615 100E