Datasheet BUK9615-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 66 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK9615-100E
![]() 20 предложений от 18 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R | |||
BUK9615-100E NXP | от 44 ₽ | ||
BUK9615-100A-VB | 142 ₽ | ||
BUK9615100A | по запросу | ||
BUK9615-100A,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 66 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK9615-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 66 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0125 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 182 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK9615100E, BUK9615 100E