Datasheet BUK961R5-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK961R5-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 83 до 272 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ЧипСити Россия	BUK961R5-30E,118 NXP	84 ₽	Купить
Эиком Россия	BUK961R5-30E,118 Nexperia	272 ₽	Купить
Augswan Весь мир	BUK961R5-30E NXP	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	BUK961R5-30E,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK961R5-30E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1300µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 324 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK961R530E, BUK961R5 30E