Datasheet BUK962R6-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK962R6-40E
![]() 18 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, MOSFET, N-CH, 40V, 100A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Volta... | |||
BUK962R6-40E,118 Nexperia | от 60 ₽ | ||
BUK962R6-40E,118 NXP | 297 ₽ | ||
BUK962R6-40E Nexperia | по запросу | ||
BUK962R6-40E,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK962R6-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 2350µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 263 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK962R640E, BUK962R6 40E