Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BUK962R6-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK962R6-40E

Наименование модели: BUK962R6-40E

12 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; Idm: 885А; 263Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK962R6-40E.118
Nexperia
96 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK962R6-40E,118
NXP
135 ₽
ЭИК
Россия
BUK962R6-40E,118
NXP
275 ₽
BUK962R6-40E,118
Nexperia
340 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK962R6-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 2350µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 263 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK962R640E, BUK962R6 40E

На английском языке: Datasheet BUK962R6-40E - NXP MOSFET, N-CH, 40 V, 100 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России