Datasheet BUK962R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK962R8-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 80 до 882 ₽ 18 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
T-electron Россия и страны СНГ	BUK962R8-60E.118 Nexperia	80 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK962R8-60E NXP	142 ₽	Купить
ЭИК Россия	BUK962R8-60E,118 Nexperia	от 607 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	BUK962R8-60E Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK962R8-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 2290µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 324 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK962R860E, BUK962R8 60E