Datasheet BUK963R1-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK963R1-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 243 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, D2PAK N-CH 40V 100A
ChipWorker Весь мир	BUK963R1-40E,118 NXP	32 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK963R1-40E,118 NXP	72 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK963R1-40E,118 NXP	74 ₽	Купить
Элитан Россия	BUK963R1-40E NXP	243 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK963R1-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 2600µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 234 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK963R140E, BUK963R1 40E