На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet BUK963R1-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK963R1-40E

Наименование модели: BUK963R1-40E

7 предложений от 7 поставщиков
D2PAK N-CH 40V 100A
AiPCBA
Весь мир
BUK963R1-40E,118
NXP
83 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK963R1-40E,118
NXP
83 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK963R1-40E.118
Nexperia
90 ₽
Элитан
Россия
BUK963R1-40E
NXP
327 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK963R1-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 2600µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 234 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK963R140E, BUK963R1 40E

На английском языке: Datasheet BUK963R1-40E - NXP MOSFET, N-CH, 40 V, 100 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России