Datasheet BUK963R3-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK963R3-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 56 до 320 ₽ 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 803А; 293Вт
ChipWorker Весь мир	BUK963R3-60E NXP	68 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK963R3-60E,118 NXP	145 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BUK963R3-60E,118 Nexperia	от 268 ₽	Купить
Элитан Россия	BUK963R3-60E NXP	273 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK963R3-60E
20 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 2730µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 293 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK963R360E, BUK963R3 60E