Datasheet BUK964R1-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 75 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK964R1-40E
![]() 30 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | |||
BUK964R1-40E NXP | 202 ₽ | ||
BUK964R1-40E,118 Nexperia | от 206 ₽ | ||
BUK964R1-40E118 NXP | по запросу | ||
BUK964R1-40E,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 75 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK964R1-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 75 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 3400µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 182 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK964R140E, BUK964R1 40E