Datasheet BUK964R2-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK964R2-60E
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, N Channel, 100A, 60V, 3460Ω, 5V, 1.7V | |||
BUK964R2-60E NXP | 61 ₽ | ||
BUK964R2-60E.118 Nexperia | 88 ₽ | ||
BUK964R2-60E,118 Nexperia | по запросу | ||
BUK964R2-60E,118 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK964R2-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 3460µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 263 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK964R260E, BUK964R2 60E