Datasheet BUK964R7-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK964R7-80E на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 360 ₽ 42 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 667А; 324Вт
ЗУМ-СМД Россия	BUK964R7-80E.118 Nexperia	97 ₽	Купить
Триема Россия	BUK964R7-80E,118 Nexperia	190 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK964R7-80E,118 NXP	214 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BUK964R7-80E,118 Nexperia	от 360 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK964R7-80E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 3600µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 324 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK964R780E, BUK964R7 80E