Datasheet BUK964R7-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Наименование модели: BUK964R7-80E
 Купить BUK964R7-80E на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 307 ₽47 предложений от 21 поставщиков MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK. N-Channel 80V 120A (Tc) 324W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single  | |||
| BUK964R7-80E NXP  | 59 ₽ | ||
| BUK964R7-80E,118 NXP  | 106 ₽ | ||
| BUK964R7-80E,118 Nexperia  | 175 ₽ | ||
| BUK964R7-80E,118 Nexperia  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK964R7-80E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
 - Drain Source Voltage Vds: 80 В
 - On Resistance Rds(on): 3600µ Ом
 - Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
 - Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
 - Количество выводов: 3
 - Корпус транзистора: TO-263
 - Полярность транзистора: N Channel
 - Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
 - Рассеиваемая мощность: 324 Вт
 - RoHS: Y-Ex
 - SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
 
Варианты написания:
BUK964R780E, BUK964R7 80E

Купить BUK964R7-80E на РадиоЛоцман.Цены




