Datasheet BUK964R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK964R8-60E
![]() 28 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 596А; 234Вт | |||
BUK964R8-60E NXP | 107 ₽ | ||
BUK964R8-60E NXP | 121 ₽ | ||
BUK964R8-60E,118 Nexperia | 287 ₽ | ||
BUK964R8-60E NXP | 293 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK964R8-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 3780µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 234 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK964R860E, BUK964R8 60E