Datasheet BUK969R3-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK969R3-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 283 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, N Channel, 100A, 100V, 7490Ω, 5V, 1.7V
ChipWorker Весь мир	BUK969R3-100E NXP	59 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK969R3-100E118 NXP	87 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK969R3-100E,118 NXP	139 ₽	Купить
Триема Россия	BUK969R3-100E-VB	283 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK969R3-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 7490µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 263 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK969R3100E, BUK969R3 100E